Hersteller Produktnummer:
IPAN60R360PFD7SXKSA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPAN60R360PFD7SXKSA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 10A TO220
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 10A (Tc) 23W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Inventar:
402 Stück Neu Original Auf Lager
12810875
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IPAN60R360PFD7SXKSA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tube
Reihe
CoolMOS™PFD7
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
360mOhm @ 2.9A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 140µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
12.7 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
534 pF @ 400 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
23W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO220-FP
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack
Basis-Produktnummer
IPAN60
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
2156-IPAN60R360PFD7SXKSA1
448-IPAN60R360PFD7SXKSA1
SP003965454
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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