Hersteller Produktnummer:
IPAN60R360P7SXKSA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPAN60R360P7SXKSA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 9A TO220
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 9A (Tc) 22W (Tc) Through Hole PG-TO220 Full Pack
Inventar:
490 Stück Neu Original Auf Lager
13276419
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IPAN60R360P7SXKSA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tube
Reihe
CoolMOS™ P7
Produktstatus
Last Time Buy
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
360mOhm @ 2.7A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 140µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
555 pF @ 400 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
22W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO220 Full Pack
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack
Basis-Produktnummer
IPAN60
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
SP001866154
2156-IPAN60R360P7SXKSA1
448-IPAN60R360P7SXKSA1
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IPA60R180P7XKSA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
484
TEILNUMMER
IPA60R180P7XKSA1-DG
Einheitspreis
1.07
ERSATZART
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