Hersteller Produktnummer:
IPA65R110CFDXKSA2
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPA65R110CFDXKSA2-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 31.2A TO220
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 31.2A (Tc) 34.7W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Inventar:
1000 Stück Neu Original Auf Lager
13064078
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IPA65R110CFDXKSA2 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tube
Reihe
CoolMOS™ CFD2
Verpackung
Tube
Status des Teils
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
31.2A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
110mOhm @ 12.7A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 1.3mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
118 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3240 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
34.7W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO220-FP
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack
Basis-Produktnummer
IPA65R
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
500
Andere Namen
IPA65R110CFDXKSA2-ND
448-IPA65R110CFDXKSA2
SP001977008
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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