Hersteller Produktnummer:
IPA50R650CEXKSA2
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPA50R650CEXKSA2-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 500V 4.6A TO220
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 500 V 4.6A (Tc) 27.2W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-FP
Inventar:
12799566
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IPA50R650CEXKSA2 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
CoolMOS™ CE
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
500 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4.6A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
13V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
650mOhm @ 1.8A, 13V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 150µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
342 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
27.2W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO220-3-FP
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack
Basis-Produktnummer
IPA50R
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
500
Andere Namen
2156-IPA50R650CEXKSA2
INFINFIPA50R650CEXKSA2
SP001217232
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
TK9A55DA(STA4,Q,M)
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
VERFÜGBARE ANZAHL
50
TEILNUMMER
TK9A55DA(STA4,Q,M)-DG
Einheitspreis
0.74
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
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