Hersteller Produktnummer:
IPA030N10N3GXKSA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPA030N10N3GXKSA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 79A TO220-FP
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 79A (Tc) 41W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Inventar:
12840602
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IPA030N10N3GXKSA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
79A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3mOhm @ 79A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 270µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
206 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
14800 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
41W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO220-FP
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack
Basis-Produktnummer
IPA030
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
500
Andere Namen
SP000464914
448-IPA030N10N3GXKSA1
IPA030N10N3 G
IPA030N10N3G
IPA030N10N3 G-DG
IPA030N10N3GXKSA1-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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