Hersteller Produktnummer:
IMZA65R083M1HXKSA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IMZA65R083M1HXKSA1-DG
Beschreibung:
SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 26A (Tc) 104W (Tc) Through Hole PG-TO247-4-3
Inventar:
32 Stück Neu Original Auf Lager
12966224
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
IMZA65R083M1HXKSA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tube
Reihe
CoolSiC™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
26A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
18V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
111mOhm @ 11.2A, 18V
vgs(th) (max.) @ id
5.7V @ 3.3mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
19 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+20V, -2V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
624 pF @ 400 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
104W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO247-4-3
Paket / Koffer
TO-247-4
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Andere Namen
448-IMZA65R083M1HXKSA1
SP005423798
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
SIHA17N80AEF-GE3
EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
SIR512DP-T1-RE3
N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
IMZA65R030M1HXKSA1
SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247