Hersteller Produktnummer:
IMZ120R350M1HXKSA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IMZ120R350M1HXKSA1-DG
Beschreibung:
SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-4
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 1200 V 4.7A (Tc) 60W (Tc) Through Hole PG-TO247-4-1
Inventar:
253 Stück Neu Original Auf Lager
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IMZ120R350M1HXKSA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tube
Reihe
CoolSiC™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
1200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4.7A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
15V, 18V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
350mOhm @ 2A, 18V
vgs(th) (max.) @ id
5.7V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
5.3 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+23V, -7V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
182 pF @ 800 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
60W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO247-4-1
Paket / Koffer
TO-247-4
Basis-Produktnummer
IMZ120
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Andere Namen
SP001808378
2156-IMZ120R350M1HXKSA1-448
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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