Startseite
Produkte
Hersteller
Über DiGi
Kontaktiere uns
Blogs & Beiträge
Anfrage/Angebot
Germany
Anmelden
Auswahl Sprache
Derzeitige Sprache Ihrer Wahl:
Germany
Schalter:
Englisch
Europa
Vereinigtes Königreich
DR Kongo
Argentinien
Turkei
Rumänien
Litauen
Norwegen
Österreich
Angola
Slowakei
ltaly
Finnland
Belarus
Bulgarien
Dänemark
Estland
Polen
Ukraine
Slowenien
Tschechisch
Griechisch
Kroatien
Israel
Montenegro
Russisch
Belgien
Schweden
Serbien
Baskisch
Island
Bosnien
Ungarisch
Republik Moldau
Deutschland
Niederlande
Irland
Asien / Pazifik
China
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Philippinisch
Malaysien
Korea
Japan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistan
Saudi-Arabien
Katar
Kuwait
Kambodscha
Myanmar
Afrika, Indien und Naher Osten
Vereinigte Arabische Emirate
Tadschikistan
Madagaskar
Indien
Iran
Frankreich
Südafrika
Ägypten
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunesien
Südamerika / Ozeanien
Neuseeland
Portugal
Brazilien
Mosambik
Peru
Kolumbien
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivien
Uruguay
Spanien
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexiko
Über DiGi
Über uns
Über uns
Unsere Zertifizierungen
DiGi Einführung
Warum DiGi
Richtlinie
Qualitätspolitik
Nutzungsbedingungen
RoHS-Konformität
Rückgabeprozess
Ressourcen
Produktkategorien
Hersteller
Blogs & Beiträge
Dienstleistungen
Qualitätsgarantie
Zahlungsart
Globale Lieferung
Versandkosten
Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
IMW120R090M1HXKSA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IMW120R090M1HXKSA1-DG
Beschreibung:
SICFET N-CH 1.2KV 26A TO247-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 1200 V 26A (Tc) 115W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
Inventar:
344 Stück Neu Original Auf Lager
12800732
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
*
Unternehmen
*
Kontaktname
*
Telefon
*
E-Mail
Lieferadresse
Nachricht
(
*
) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
IMW120R090M1HXKSA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tube
Reihe
CoolSiC™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
1200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
26A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
15V, 18V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
117mOhm @ 8.5A, 18V
vgs(th) (max.) @ id
5.7V @ 3.7mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
21 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+23V, -7V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
707 pF @ 800 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
115W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO247-3-41
Paket / Koffer
TO-247-3
Basis-Produktnummer
IMW120
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
IMW120R090M1HXKSA1
HTML-Datenblatt
IMW120R090M1HXKSA1-DG
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Andere Namen
2156-IMW120R090M1HXKSA1-448
SP001946164
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
BSZ100N06NSATMA1
MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
BSS119NH6433XTMA1
MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
IPB049N08N5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK
IPD50N06S2L13ATMA2
MOSFET N-CH 55V 50A TO252-31