Hersteller Produktnummer:
IMW120R045M1XKSA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IMW120R045M1XKSA1-DG
Beschreibung:
SICFET N-CH 1.2KV 52A TO247-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 1200 V 52A (Tc) 228W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
Inventar:
58 Stück Neu Original Auf Lager
12800230
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IMW120R045M1XKSA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tube
Reihe
CoolSiC™
Produktstatus
Not For New Designs
FET-Typ
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
1200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
52A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
15V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
59mOhm @ 20A, 15V
vgs(th) (max.) @ id
5.7V @ 10mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
52 nC @ 15 V
Vgs (Max)
+20V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1900 pF @ 800 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
228W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO247-3-41
Paket / Koffer
TO-247-3
Basis-Produktnummer
IMW120
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Andere Namen
IMW120R045M1XKSA1-DG
SP001346254
448-IMW120R045M1XKSA1
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
MSC025SMA120B
HERSTELLER
Microchip Technology
VERFÜGBARE ANZAHL
30
TEILNUMMER
MSC025SMA120B-DG
Einheitspreis
28.12
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
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