Hersteller Produktnummer:
IMW120R007M1HXKSA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IMW120R007M1HXKSA1-DG
Beschreibung:
SIC DISCRETE
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 1200 V 225A (Tc) 750W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Inventar:
159 Stück Neu Original Auf Lager
12999185
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IMW120R007M1HXKSA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tube
Reihe
CoolSiC™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
1200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
225A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
15V, 18V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
9.9mOhm @ 108A, 18V
vgs(th) (max.) @ id
5.2V @ 47mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
220 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+20V, -5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
9170 nF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
750W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO247-3
Paket / Koffer
TO-247-3
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Andere Namen
448-IMW120R007M1HXKSA1
SP005425447
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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