Hersteller Produktnummer:
IGT60R190D1SATMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IGT60R190D1SATMA1-DG
Beschreibung:
GANFET N-CH 600V 12.5A 8HSOF
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 12.5A (Tc) 55.5W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-3
Inventar:
12800211
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IGT60R190D1SATMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
CoolGaN™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
12.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
-
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
-
vgs(th) (max.) @ id
1.6V @ 960µA
Vgs (Max)
-10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
157 pF @ 400 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
55.5W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-HSOF-8-3
Paket / Koffer
8-PowerSFN
Basis-Produktnummer
IGT60R190
Datenblatt & Dokumente
Produktbeschreibung
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zuverlässigkeit Dokumente
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,000
Andere Namen
IGT60R190D1SATMA1DKR
2156-IGT60R190D1SATMA1-448
SP001701702
IGT60R190D1SATMA1CT
IGT60R190D1SATMA1TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IGT60R190D1ATMA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
IGT60R190D1ATMA1-DG
Einheitspreis
2.42
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
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