Hersteller Produktnummer:
IGT60R070D1E8220ATMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IGT60R070D1E8220ATMA1-DG
Beschreibung:
GAN HV
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 31A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-3
Inventar:
12965871
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IGT60R070D1E8220ATMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
CoolGaN™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
31A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
-
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
-
vgs(th) (max.) @ id
1.6V @ 2.6mA
Vgs (Max)
-10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
380 pF @ 400 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
125W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-HSOF-8-3
Paket / Koffer
8-PowerSFN
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1
Andere Namen
448-IGT60R070D1E8220ATMA1
SP001688772
Umwelt- und Exportklassifizierung
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IGT60R070D1ATMA4
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
3044
TEILNUMMER
IGT60R070D1ATMA4-DG
Einheitspreis
7.24
ERSATZART
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