IGOT60R070D1E8237AUMA1
Hersteller Produktnummer:

IGOT60R070D1E8237AUMA1

Product Overview

Hersteller:

Infineon Technologies

Teilenummer:

IGOT60R070D1E8237AUMA1-DG

Beschreibung:

GAN HV
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 31A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-DSO-20-87

Inventar:

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IGOT60R070D1E8237AUMA1 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
CoolGaN™
Produktstatus
Discontinued at Digi-Key
FET-Typ
N-Channel
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
31A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
-
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
-
vgs(th) (max.) @ id
1.6V @ 2.6mA
Vgs (Max)
-10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
380 pF @ 400 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
125W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-DSO-20-87
Paket / Koffer
20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
800
Andere Namen
448-IGOT60R070D1E8237AUMA1TR
SP005423176

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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