IAUT200N08S5N023ATMA1
Hersteller Produktnummer:

IAUT200N08S5N023ATMA1

Product Overview

Hersteller:

Infineon Technologies

Teilenummer:

IAUT200N08S5N023ATMA1-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 80V 200A 8HSOF
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 80 V 200A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1

Inventar:

2485 Stück Neu Original Auf Lager
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IAUT200N08S5N023ATMA1 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS™-5
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
80 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
200A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2.3mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.8V @ 130µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
7670 pF @ 40 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
200W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-HSOF-8-1
Paket / Koffer
8-PowerSFN
Basis-Produktnummer
IAUT200

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
IAUT200N08S5N023ATMA1
HTML-Datenblatt
IAUT200N08S5N023ATMA1-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
2,000
Andere Namen
IAUT200N08S5N023ATMA1TR
IAUT200N08S5N023CT-DG
IAUT200N08S5N023DKR
IAUT200N08S5N023TR-DG
IAUT200N08S5N023
2156-IAUT200N08S5N023ATMA1
IAUT200N08S5N023DKR-DG
IAUT200N08S5N023ATMA1DKR
IAUT200N08S5N023ATMA1CT
IAUT200N08S5N023CT
IFEINFIAUT200N08S5N023ATMA1
IAUT200N08S5N023TR
SP001688332

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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