Hersteller Produktnummer:
IAUT150N10S5N035ATMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IAUT150N10S5N035ATMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 150A 8HSOF
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 150A (Tc) 166W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1
Inventar:
7538 Stück Neu Original Auf Lager
12801563
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IAUT150N10S5N035ATMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS™-5
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
150A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3.5mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.8V @ 110µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
87 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
6110 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
166W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-HSOF-8-1
Paket / Koffer
8-PowerSFN
Basis-Produktnummer
IAUT150
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,000
Andere Namen
IAUT150N10S5N035
IAUT150N10S5N035ATMA1TR
IAUT150N10S5N035DKR
IAUT150N10S5N035TR
SP001416126
IFEINFIAUT150N10S5N035ATMA1
IAUT150N10S5N035CT
IAUT150N10S5N035ATMA1DKR
IAUT150N10S5N035ATMA1CT
2156-IAUT150N10S5N035ATMA1
IAUT150N10S5N035ATMA1-DG
IAUT150N10S5N035DKR-DG
IAUT150N10S5N035CT-DG
IAUT150N10S5N035TR-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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