Hersteller Produktnummer:
IAUS165N08S5N029ATMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IAUS165N08S5N029ATMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 80V 165A HSOG-8
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 80 V 165A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount PG-HSOG-8-1
Inventar:
1374 Stück Neu Original Auf Lager
12802889
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
IAUS165N08S5N029ATMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
80 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
165A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2.9mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.8V @ 108µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
6370 pF @ 40 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
167W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-HSOG-8-1
Paket / Koffer
8-PowerSMD, Gull Wing
Basis-Produktnummer
IAUS165
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,800
Andere Namen
IAUS165N08S5N029ATMA1DKR
IAUS165N08S5N029ATMA1TR
IAUS165N08S5N029ATMA1CT
SP001643350
2156-IAUS165N08S5N029ATMA1
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
IPA60R180P7SXKSA1
MOSFET N-CHANNEL 600V 18A TO220
IPI80N06S208AKSA2
MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
IPP80N06S3L-05
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
