IAUC120N06S5L032ATMA1
Hersteller Produktnummer:

IAUC120N06S5L032ATMA1

Product Overview

Hersteller:

Infineon Technologies

Teilenummer:

IAUC120N06S5L032ATMA1-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 60V 120A TDSON-8-34
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 120A (Tj) 94W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-34

Inventar:

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IAUC120N06S5L032ATMA1 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
120A (Tj)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3.2mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.2V @ 44µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
51.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±16V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3823 pF @ 30 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
94W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TDSON-8-34
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer
IAUC120

Datenblatt & Dokumente

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
5,000
Andere Namen
448-IAUC120N06S5L032ATMA1CT
448-IAUC120N06S5L032ATMA1TR
SP003244394
448-IAUC120N06S5L032ATMA1DKR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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