FS45MR12W1M1B11BOMA1
Hersteller Produktnummer:

FS45MR12W1M1B11BOMA1

Product Overview

Hersteller:

Infineon Technologies

Teilenummer:

FS45MR12W1M1B11BOMA1-DG

Beschreibung:

SIC 6N-CH 1200V AG-EASY1BM-2
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 25A (Tj) Chassis Mount AG-EASY1BM-2

Inventar:

106 Stück Neu Original Auf Lager
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FS45MR12W1M1B11BOMA1 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tray
Reihe
CoolSiC™+
Produktstatus
Obsolete
Technologie
Silicon Carbide (SiC)
Konfiguration
6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET-Funktion
-
Drain zur Quellspannung (Vdss)
1200V (1.2kV)
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
25A (Tj)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
45mOhm @ 25A, 15V (Typ)
vgs(th) (max.) @ id
5.55V @ 10mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
62nC @ 15V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1840pF @ 800V
Leistung - Max
-
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Chassis Mount
Paket / Koffer
Module
Gerätepaket für Lieferanten
AG-EASY1BM-2
Basis-Produktnummer
FS45MR12

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
FS45MR12W1M1B11BOMA1
HTML-Datenblatt
FS45MR12W1M1B11BOMA1-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
24
Andere Namen
SP001686600

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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