Hersteller Produktnummer:
FF6MR12W2M1PB11BPSA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
FF6MR12W2M1PB11BPSA1-DG
Beschreibung:
SIC 2N-CH 1200V 200A
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 200A (Tj) Chassis Mount
Inventar:
12822931
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FF6MR12W2M1PB11BPSA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
CoolSiC™+
Produktstatus
Obsolete
Technologie
Silicon Carbide (SiC)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
-
Drain zur Quellspannung (Vdss)
1200V (1.2kV)
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
200A (Tj)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
5.63mOhm @ 200A, 15V
vgs(th) (max.) @ id
5.55V @ 80mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
496nC @ 15V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
14700pF @ 800V
Leistung - Max
-
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Chassis Mount
Paket / Koffer
Module
Basis-Produktnummer
FF6MR12
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
18
Andere Namen
448-FF6MR12W2M1PB11BPSA1
SP004134434
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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