Hersteller Produktnummer:
FF6MR12KM1BOSA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
FF6MR12KM1BOSA1-DG
Beschreibung:
SIC 2N-CH 1200V 250A AG-62MM
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 250A (Tc) Chassis Mount AG-62MM
Inventar:
12954356
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Menge
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FF6MR12KM1BOSA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
CoolSiC™
Produktstatus
Obsolete
Technologie
Silicon Carbide (SiC)
Konfiguration
2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion
-
Drain zur Quellspannung (Vdss)
1200V (1.2kV)
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
250A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
5.81mOhm @ 250A, 15V
vgs(th) (max.) @ id
5.15V @ 80mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
496nC @ 15V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
14700pF @ 800V
Leistung - Max
-
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Chassis Mount
Paket / Koffer
Module
Gerätepaket für Lieferanten
AG-62MM
Basis-Produktnummer
FF6MR12
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
10
Andere Namen
SP001686408
2156-FF6MR12KM1BOSA1
448-FF6MR12KM1BOSA1
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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