Hersteller Produktnummer:
FF4MR20KM1HHPSA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
FF4MR20KM1HHPSA1-DG
Beschreibung:
SIC 2N-CH 2000V AG-62MMHB
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 2000V (2kV) 280A (Tc) Chassis Mount AG-62MMHB
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FF4MR20KM1HHPSA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tray
Reihe
C
Produktstatus
Active
Technologie
Silicon Carbide (SiC)
Konfiguration
2 N-Channel
FET-Funktion
Silicon Carbide (SiC)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
2000V (2kV)
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
280A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
5.3mOhm @ 300A, 18V
vgs(th) (max.) @ id
5.15V @ 168mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
1170nC @ 18V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
36100pF @ 1.2kV
Leistung - Max
-
Betriebstemperatur
-40°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Chassis Mount
Paket / Koffer
Module
Gerätepaket für Lieferanten
AG-62MMHB
Basis-Produktnummer
FF4MR20
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
10
Andere Namen
448-FF4MR20KM1HHPSA1
SP005349686
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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