Hersteller Produktnummer:
F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1-DG
Beschreibung:
SIC 2N-CH 1200V 85A AG-EASY2B
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 85A (Tj) Chassis Mount AG-EASY2B
Inventar:
45 Stück Neu Original Auf Lager
12996907
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F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tray
Reihe
EasyPACK™
Produktstatus
Active
Technologie
Silicon Carbide (SiC)
Konfiguration
2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion
-
Drain zur Quellspannung (Vdss)
1200V (1.2kV)
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
85A (Tj)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
12mOhm @ 100A, 18V
vgs(th) (max.) @ id
5.15V @ 40mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
297nC @ 18V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
8800pF @ 800V
Leistung - Max
-
Betriebstemperatur
-40°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Chassis Mount
Paket / Koffer
Module
Gerätepaket für Lieferanten
AG-EASY2B
Basis-Produktnummer
F3L8MR12
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
18
Andere Namen
448-F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1
SP005562921
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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