Hersteller Produktnummer:
BSZ900N15NS3GATMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
BSZ900N15NS3GATMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 150V 13A 8TSDSON
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 150 V 13A (Tc) 38W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Inventar:
10222 Stück Neu Original Auf Lager
13063964
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
BSZ900N15NS3GATMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Reihe
OptiMOS™
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Status des Teils
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
150 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
8V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
90mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 20µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
7 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
510 pF @ 75 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
38W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TSDSON-8
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer
BSZ900
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
5,000
Andere Namen
BSZ900N15NS3 GCT-ND
BSZ900N15NS3 G
BSZ900N15NS3 GCT
BSZ900N15NS3GATMA1TR
BSZ900N15NS3 GDKR
BSZ900N15NS3GATMA1DKR
BSZ900N15NS3GATMA1CT
BSZ900N15NS3 GDKR-ND
SP000677866
BSZ900N15NS3 GTR-ND
BSZ900N15NS3 G-ND
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
IPD60R1K0CEATMA1
MOSFET N-CH 600V 4.3A TO252-3
IPB054N06N3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
IPB60R190P6ATMA1
MOSFET N-CH 600V 20.2A D2PAK