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Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
BSZ22DN20NS3GATMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
BSZ22DN20NS3GATMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 200V 7A 8TSDSON
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 200 V 7A (Tc) 34W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Inventar:
9286 Stück Neu Original Auf Lager
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EINREICHEN
BSZ22DN20NS3GATMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
225mOhm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 13µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
5.6 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
430 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
34W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TSDSON-8
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer
BSZ22DN20
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
BSZ22DN20NS3GATMA1
HTML-Datenblatt
BSZ22DN20NS3GATMA1-DG
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
5,000
Andere Namen
BSZ22DN20NS3G
BSZ22DN20NS3GTR
2156-BSZ22DN20NS3GATMA1
BSZ22DN20NS3GDKR-DG
BSZ22DN20NS3GATMA1DKR
SP000781794
BSZ22DN20NS3GDKR
BSZ22DN20NS3GCT-DG
BSZ22DN20NS3GTR-DG
BSZ22DN20NS3GATMA1TR
IFEINFBSZ22DN20NS3GATMA1
BSZ22DN20NS3GCT
BSZ22DN20NS3GATMA1CT
BSZ22DN20NS3 G
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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