Hersteller Produktnummer:
BSZ12DN20NS3GATMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
BSZ12DN20NS3GATMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 200 V 11.3A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Inventar:
3866 Stück Neu Original Auf Lager
12829322
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BSZ12DN20NS3GATMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
11.3A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
125mOhm @ 5.7A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 25µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
8.7 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
680 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
50W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TSDSON-8
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer
BSZ12DN20
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
5,000
Andere Namen
2156-BSZ12DN20NS3GATMA1
BSZ12DN20NS3GATMA1DKR
BSZ12DN20NS3GATMA1TR
BSZ12DN20NS3GCT
IFEINFBSZ12DN20NS3GATMA1
BSZ12DN20NS3GDKR
SP000781784
BSZ12DN20NS3GATMA1CT
BSZ12DN20NS3G
BSZ12DN20NS3GTR
BSZ12DN20NS3 G
BSZ12DN20NS3GTR-DG
BSZ12DN20NS3GCT-DG
BSZ12DN20NS3GDKR-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
BSC12DN20NS3GATMA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
11979
TEILNUMMER
BSC12DN20NS3GATMA1-DG
Einheitspreis
0.52
ERSATZART
Parametric Equivalent
DIGI-Zertifizierung
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