BSZ034N04LSATMA1
Hersteller Produktnummer:

BSZ034N04LSATMA1

Product Overview

Hersteller:

Infineon Technologies

Teilenummer:

BSZ034N04LSATMA1-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 40V 19A/40A TSDSON
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 40 V 19A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL

Inventar:

12801171
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

BSZ034N04LSATMA1 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
19A (Ta), 40A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3.4mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1800 pF @ 20 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.1W (Ta), 52W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TSDSON-8-FL
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer
BSZ034

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
5,000
Andere Namen
BSZ034N04LSATMA1DKR
SP001067020
BSZ034N04LSATMA1CT
BSZ034N04LSATMA1-DG
BSZ034N04LSATMA1TR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
infineon-technologies

IPD50P04P413ATMA1

MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3

infineon-technologies

IPD110N12N3GBUMA1

MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3

infineon-technologies

IPB06P001LATMA1

MOSFET P-CH 60V 100A TO263-3

infineon-technologies

IPP05N03LA

MOSFET N-CH 25V 80A TO220-3