Hersteller Produktnummer:
BSZ018NE2LSIATMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
BSZ018NE2LSIATMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 25V 22A/40A TSDSON
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 25 V 22A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
Inventar:
24976 Stück Neu Original Auf Lager
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BSZ018NE2LSIATMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
25 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
22A (Ta), 40A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.8mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2500 pF @ 12 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.1W (Ta), 69W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TSDSON-8-FL
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer
BSZ018
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
5,000
Andere Namen
BSZ018NE2LSIDKR
BSZ018NE2LSICT-DG
BSZ018NE2LSIATMA1CT
BSZ018NE2LSIATMA1DKR
SP000906032
BSZ018NE2LSICT
BSZ018NE2LSIATMA1TR
BSZ018NE2LSIDKR-DG
2156-BSZ018NE2LSIATMA1
BSZ018NE2LSI
BSZ018NE2LSI-DG
IFEINFBSZ018NE2LSIATMA1
BSZ018NE2LSITR-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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