Startseite
Produkte
Hersteller
Über DiGi
Kontaktiere uns
Blogs & Beiträge
Anfrage/Angebot
Germany
Anmelden
Auswahl Sprache
Derzeitige Sprache Ihrer Wahl:
Germany
Schalter:
Englisch
Europa
Vereinigtes Königreich
Frankreich
Spanien
Turkei
Republik Moldau
Litauen
Norwegen
Deutschland
Portugal
Slowakei
ltaly
Finnland
Russisch
Bulgarien
Dänemark
Estland
Polen
Ukraine
Slowenien
Tschechisch
Griechisch
Kroatien
Israel
Serbien
Belarus
Niederlande
Schweden
Montenegro
Baskisch
Island
Bosnien
Ungarisch
Rumänien
Österreich
Belgien
Irland
Asien / Pazifik
China
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Philippinisch
Malaysien
Korea
Japan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistan
Saudi-Arabien
Katar
Kuwait
Kambodscha
Myanmar
Afrika, Indien und Naher Osten
Vereinigte Arabische Emirate
Tadschikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Südafrika
Ägypten
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunesien
Südamerika / Ozeanien
Neuseeland
Angola
Brazilien
Mosambik
Peru
Kolumbien
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivien
Uruguay
Argentinien
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexiko
Über DiGi
Über uns
Über uns
Unsere Zertifizierungen
DiGi Einführung
Warum DiGi
Richtlinie
Qualitätspolitik
Nutzungsbedingungen
RoHS-Konformität
Rückgabeprozess
Ressourcen
Produktkategorien
Hersteller
Blogs & Beiträge
Dienstleistungen
Qualitätsgarantie
Zahlungsart
Globale Lieferung
Versandkosten
Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
BSS87E6327T
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
BSS87E6327T-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 240V 260MA SOT89-4
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 240 V 260mA (Ta) 1W (Ta) Surface Mount PG-SOT89-4-2
Inventar:
Angebot Anfrage Online
12801250
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
*
Unternehmen
*
Kontaktname
*
Telefon
*
E-Mail
Lieferadresse
Nachricht
(
*
) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
BSS87E6327T Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
SIPMOS®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
240 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
260mA (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
6Ohm @ 260mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
1.8V @ 108µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
5.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
97 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-SOT89-4-2
Paket / Koffer
TO-243AA
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
BSS87E6327T
HTML-Datenblatt
BSS87E6327T-DG
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
BSS87XTINDKR
BSS87XTINCT
BSS87XTINTR
SP000011182
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
BSS87H6327FTSA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
25607
TEILNUMMER
BSS87H6327FTSA1-DG
Einheitspreis
0.16
ERSATZART
Parametric Equivalent
Teilenummer
BSS87,115
HERSTELLER
Nexperia USA Inc.
VERFÜGBARE ANZAHL
218801
TEILNUMMER
BSS87,115-DG
Einheitspreis
0.11
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
ZVN4525ZTA
HERSTELLER
Diodes Incorporated
VERFÜGBARE ANZAHL
5963
TEILNUMMER
ZVN4525ZTA-DG
Einheitspreis
0.27
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
IPF13N03LA G
MOSFET N-CH 25V 30A TO252-3
IPD135N03LGXT
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
IPC100N04S51R7ATMA1
MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
IPL65R420E6AUMA1
MOSFET N-CH 650V 10.1A THIN-PAK