Hersteller Produktnummer:
BSS806NH6327XTSA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
BSS806NH6327XTSA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 20 V 2.3A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
Inventar:
555783 Stück Neu Original Auf Lager
12856580
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
BSS806NH6327XTSA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2.3A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.8V, 2.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
57mOhm @ 2.3A, 2.5V
vgs(th) (max.) @ id
750mV @ 11µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
1.7 nC @ 2.5 V
Vgs (Max)
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
529 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
500mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-SOT23
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis-Produktnummer
BSS806
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
BSS806N H6327
BSS806NH6327XTSA1TR
BSS806N H6327DKR-DG
IFEINFBSS806NH6327XTSA1
BSS806NH6327XTSA1CT
BSS806N H6327CT
BSS806N H6327CT-DG
BSS806NH6327XTSA1DKR
2156-BSS806NH6327XTSA1
BSS806N H6327-DG
BSS806NH6327
SP000928952
BSS806N H6327TR-DG
BSS806N H6327DKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
NVTFS6H860NWFTAG
MOSFET N-CH 80V 8A/30A 8WDFN
NTNUS3171PZT5G
MOSFET P-CH 20V 150MA SOT1123
RFP70N06
MOSFET N-CH 60V 70A TO220-3
