Hersteller Produktnummer:
BSS670S2LH6327XTSA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
BSS670S2LH6327XTSA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 55 V 540mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
Inventar:
58757 Stück Neu Original Auf Lager
12848966
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BSS670S2LH6327XTSA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
55 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
540mA (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
650mOhm @ 270mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 2.7µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
2.26 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
75 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
360mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-SOT23
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis-Produktnummer
BSS670
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
BSS670S2L H6327DKR
BSS670S2L H6327CT
BSS670S2LH6327XTSA1CT
BSS670S2L H6327DKR-DG
BSS670S2L H6327-DG
BSS670S2LH6327XTSA1TR
BSS670S2LH6327XTSA1DKR
SP000928950
BSS670S2L H6327CT-DG
BSS670S2L H6327TR-DG
BSS670S2L H6327
BSS670S2LH6327
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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