Hersteller Produktnummer:
BSS192PH6327XTSA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
BSS192PH6327XTSA1-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 250 V 190mA (Ta) 1W (Ta) Surface Mount PG-SOT89
Inventar:
12799693
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BSS192PH6327XTSA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
SIPMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
250 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
190mA (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
2.8V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
12Ohm @ 190mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 130µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
6.1 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
104 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-SOT89
Paket / Koffer
TO-243AA
Basis-Produktnummer
BSS192
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
SP001195030
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
BSS192PH6327FTSA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
22508
TEILNUMMER
BSS192PH6327FTSA1-DG
Einheitspreis
0.16
ERSATZART
Parametric Equivalent
DIGI-Zertifizierung
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