Hersteller Produktnummer:
BSS139H6327XTSA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
BSS139H6327XTSA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 250 V 100mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
Inventar:
13483 Stück Neu Original Auf Lager
12802560
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
BSS139H6327XTSA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
SIPMOS®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
250 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
100mA (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
0V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
14Ohm @ 100µA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 56µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
3.5 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
76 pF @ 25 V
FET-Funktion
Depletion Mode
Verlustleistung (max.)
360mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-SOT23
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis-Produktnummer
BSS139
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
BSS139 H6327TR-DG
BSS139H6327
BSS139H6327XTSA1TR
BSS139 H6327CT-DG
BSS139 H6327-DG
SP000702610
BSS139H6327XTSA1CT
BSS139H6327XTSA1DKR
BSS139 H6327CT
BSS139 H6327DKR
BSS139 H6327
BSS139 H6327DKR-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
IPW60R099CPFKSA1
MOSFET N-CH 650V 31A TO247-3
IPD80R750P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 7A TO252-3
IRFR3707ZCTRLP
MOSFET N-CH 30V 56A DPAK
