Hersteller Produktnummer:
BSR802NL6327HTSA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
BSR802NL6327HTSA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 20V 3.7A SC59
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 20 V 3.7A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SC59-3
Inventar:
127590 Stück Neu Original Auf Lager
12801057
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
BSR802NL6327HTSA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
3.7A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.8V, 2.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
23mOhm @ 3.7A, 2.5V
vgs(th) (max.) @ id
750mV @ 30µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
4.7 nC @ 2.5 V
Vgs (Max)
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1447 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
500mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-SC59-3
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis-Produktnummer
BSR802
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
BSR802NL6327HTSA1CT
BSR802NL6327HTSA1DKR
BSR802N L6327-DG
BSR802N L6327
BSR802N L6327INTR
SP000442484
BSR802NL6327HTSA1TR
BSR802N L6327INDKR-DG
BSR802N L6327INCT
BSR802NL6327
BSR802N L6327INDKR
BSR802N L6327INTR-DG
BSR802N L6327INCT-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
IPB200N25N3GATMA1
MOSFET N-CH 250V 64A D2PAK
IPI320N20N3GAKSA1
MOSFET N-CH 200V 34A TO262-3
IPP040N06N3GHKSA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3