BSP373NH6327XTSA1
Hersteller Produktnummer:

BSP373NH6327XTSA1

Product Overview

Hersteller:

Infineon Technologies

Teilenummer:

BSP373NH6327XTSA1-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT223-4
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 1.8A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4

Inventar:

7841 Stück Neu Original Auf Lager
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BSP373NH6327XTSA1 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
1.8A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
240mOhm @ 1.8A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 218µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
9.3 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
265 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.8W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-SOT223-4
Paket / Koffer
TO-261-4, TO-261AA
Basis-Produktnummer
BSP373

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
1,000
Andere Namen
BSP373NH6327XTSA1CT
BSP373NH6327XTSA1DKR
BSP373NH6327XTSA1TR
BSP373NH6327XTSA1-DG
SP001059328

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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