Hersteller Produktnummer:
BSP322PL6327HTSA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
BSP322PL6327HTSA1-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 100 V 1A (Tc) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4-21
Inventar:
12801032
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Menge
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BSP322PL6327HTSA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
SIPMOS®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
1A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
800mOhm @ 1A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 380µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
16.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
372 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.8W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-SOT223-4-21
Paket / Koffer
TO-261-4, TO-261AA
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
BSP322P L6327
SP000212229
2156-BSP322PL6327HTSA1-ITTR
BSP322P L6327-DG
BSP322PL6327HTSA1TR
INFINFBSP322PL6327HTSA1
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
BSP322PH6327XTSA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
3053
TEILNUMMER
BSP322PH6327XTSA1-DG
Einheitspreis
0.28
ERSATZART
Parametric Equivalent
DIGI-Zertifizierung
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