Hersteller Produktnummer:
BSP300L6327HUSA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
BSP300L6327HUSA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 800V 190MA SOT223-4
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 800 V 190mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4-21
Inventar:
12830416
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
BSP300L6327HUSA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
SIPMOS®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
800 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
190mA (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
20Ohm @ 190mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 1mA
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
230 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.8W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-SOT223-4-21
Paket / Koffer
TO-261-4, TO-261AA
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
BSP300L6327HUSA1TR
INFINFBSP300L6327HUSA1
BSP300L6327XT
BSP300 L6327
2156-BSP300L6327HUSA1-ITTR
BSP300 L6327-DG
SP000089201
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
BUK9107-55ATE,118
MOSFET N-CH 55V 75A SOT426
NX7002BKMYL
MOSFET N-CH 60V 350MA DFN1006-3
BUK763R9-60E,118
MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
