Hersteller Produktnummer:
BSP149H6327XTSA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
BSP149H6327XTSA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 200 V 660mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Inventar:
25184 Stück Neu Original Auf Lager
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BSP149H6327XTSA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
SIPMOS®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
660mA (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
0V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.8Ohm @ 660mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 400µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
430 pF @ 25 V
FET-Funktion
Depletion Mode
Verlustleistung (max.)
1.8W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-SOT223-4
Paket / Koffer
TO-261-4, TO-261AA
Basis-Produktnummer
BSP149
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
SP001058818
BSP149H6327XTSA1CT
BSP149H6327XTSA1DKR
BSP149H6327XTSA1TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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