Hersteller Produktnummer:
BSG0813NDIATMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
BSG0813NDIATMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 25V 19A/33A TISON8
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 25V 19A, 33A 2.5W Surface Mount PG-TISON-8
Inventar:
12798877
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BSG0813NDIATMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET-Funktion
Logic Level Gate, 4.5V Drive
Drain zur Quellspannung (Vdss)
25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
19A, 33A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
8.4nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1100pF @ 12V
Leistung - Max
2.5W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 155°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TISON-8
Basis-Produktnummer
BSG0813
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
5,000
Andere Namen
SP001241676
448-BSG0813NDIATMA1CT
448-BSG0813NDIATMA1TR
2156-BSG0813NDIATMA1
BSG0813NDIATMA1-DG
INFINFBSG0813NDIATMA1
448-BSG0813NDIATMA1DKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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