BSC500N20NS3GATMA1
Hersteller Produktnummer:

BSC500N20NS3GATMA1

Product Overview

Hersteller:

Infineon Technologies

Teilenummer:

BSC500N20NS3GATMA1-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 200V 24A TDSON-8
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 200 V 24A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1

Inventar:

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BSC500N20NS3GATMA1 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
50mOhm @ 22A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 60µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1580 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
96W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TDSON-8-1
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer
BSC500

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
5,000
Andere Namen
BSC500N20NS3GATMA1TR
SP000998292
BSC500N20NS3GATMA1CT
BSC500N20NS3GATMA1DKR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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