Hersteller Produktnummer:
BSC190N12NS3GATMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
BSC190N12NS3GATMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 120V 8.6A/44A TDSON
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 120 V 8.6A (Ta), 44A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Inventar:
29800 Stück Neu Original Auf Lager
12798707
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BSC190N12NS3GATMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
120 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
8.6A (Ta), 44A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
19mOhm @ 39A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 42µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2300 pF @ 60 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
69W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TDSON-8-1
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer
BSC190
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
5,000
Andere Namen
BSC190N12NS3 GCT-DG
BSC190N12NS3 GCT
BSC190N12NS3 GDKR-DG
BSC190N12NS3 GTR-DG
BSC190N12NS3GATMA1TR
SP000652752
BSC190N12NS3 G
BSC190N12NS3 GTR
BSC190N12NS3GATMA1DKR-DGTR-DG
BSC190N12NS3GATMA1DKR
BSC190N12NS3G
BSC190N12NS3GATMA1CT
BSC190N12NS3 GDKR
BSC190N12NS3GATMA1CT-DGTR-DG
BSC190N12NS3 G-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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