BSC120N03LSGATMA1
Hersteller Produktnummer:

BSC120N03LSGATMA1

Product Overview

Hersteller:

Infineon Technologies

Teilenummer:

BSC120N03LSGATMA1-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 30V 12A/39A TDSON
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 12A (Ta), 39A (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5

Inventar:

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BSC120N03LSGATMA1 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
12A (Ta), 39A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
12mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1200 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.5W (Ta), 28W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TDSON-8-5
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer
BSC120

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
BSC120N03LSGATMA1
HTML-Datenblatt
BSC120N03LSGATMA1-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
5,000
Andere Namen
BSC120N03LSGATMA1CT
BSC120N03LS G
BSC120N03LSGATMA1DKR-DGTR-DG
BSC120N03LSGINTR
BSC120N03LSGATMA1DKR
BSC120N03LSGINDKR-DG
BSC120N03LSGINCT
BSC120N03LSG
SP000302848
BSC120N03LSGATMA1TR
BSC120N03LSGXT
BSC120N03LSGINTR-DG
BSC120N03LSGINDKR
BSC120N03LSGATMA1CT-DGTR-DG
BSC120N03LSGINCT-DG

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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