Hersteller Produktnummer:
BSC084P03NS3EGATMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
BSC084P03NS3EGATMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 30V 14.9A 8TDSON
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 30 V 14.9A (Ta), 78.6A (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5
Inventar:
12800179
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BSC084P03NS3EGATMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
14.9A (Ta), 78.6A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
8.4mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 110µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
57.7 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4240 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.5W (Ta), 69W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TDSON-8-5
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer
BSC084
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
5,000
Andere Namen
BSC084P03NS3E GDKR-DG
BSC084P03NS3EGATMA1TR
BSC084P03NS3EGATMA1DKR
BSC084P03NS3E GTR-DG
BSC084P03NS3E G-DG
BSC084P03NS3E GCT-DG
BSC084P03NS3E GDKR
BSC084P03NS3E GCT
2156-BSC084P03NS3EGATMA1
BSC084P03NS3E G
BSC084P03NS3EG
SP000473012
INFINFBSC084P03NS3EGATMA1
BSC084P03NS3EGATMA1CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
DMP3012LPS-13
HERSTELLER
Diodes Incorporated
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
DMP3012LPS-13-DG
Einheitspreis
0.28
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
BSC084P03NS3GATMA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
8968
TEILNUMMER
BSC084P03NS3GATMA1-DG
Einheitspreis
0.38
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
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