Hersteller Produktnummer:
BSC052N03LSATMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
BSC052N03LSATMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 17A/57A TDSON
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 17A (Ta), 57A (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6
Inventar:
27313 Stück Neu Original Auf Lager
12798612
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
BSC052N03LSATMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
17A (Ta), 57A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
5.2mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
770 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.5W (Ta), 28W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TDSON-8-6
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer
BSC052
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
5,000
Andere Namen
BSC052N03LSDKR
BSC052N03LSATMA1CT
SP000807602
BSC052N03LSATMA1TR
BSC052N03LSCT-DG
BSC052N03LSDKR-DG
BSC052N03LS
BSC052N03LS-DG
BSC052N03LSTR-DG
BSC052N03LSCT
BSC052N03LSATMA1DKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
BSF134N10NJ3GXUMA1
MOSFET N-CH 100V 9A/40A 2WDSON
AUIRFB8407
MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
BSC042N03MSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 17A/93A TDSON
