Hersteller Produktnummer:
BSC020N03MSGATMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
BSC020N03MSGATMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 25A/100A TDSON
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 25A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Inventar:
32523 Stück Neu Original Auf Lager
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BSC020N03MSGATMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
25A (Ta), 100A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
124 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
9600 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.5W (Ta), 96W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TDSON-8-1
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer
BSC020
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
5,000
Andere Namen
BSC020N03MSGINDKR-DG
BSC020N03MSGINTR
2156-BSC020N03MSGATMA1
BSC020N03MSGATMA1DKR
BSC020N03MSGATMA1CT-DGTR-DG
BSC020N03MSGATMA1CT
BSC020N03MSGATMA1DKR-DGTR-DG
BSC020N03MSGXT
BSC020N03MSGINCT
BSC020N03MSG
BSC020N03MSGINTR-DG
BSC020N03MSGINCT-DG
BSC020N03MS G
BSC020N03MSGATMA1TR
SP000311503
IFEINFBSC020N03MSGATMA1
BSC020N03MSGINDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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