BSC019N02KSGAUMA1
Hersteller Produktnummer:

BSC019N02KSGAUMA1

Product Overview

Hersteller:

Infineon Technologies

Teilenummer:

BSC019N02KSGAUMA1-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 20V 30A/100A TDSON
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 20 V 30A (Ta), 100A (Tc) 2.8W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1

Inventar:

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BSC019N02KSGAUMA1 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Last Time Buy
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
30A (Ta), 100A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
2.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.95mOhm @ 50A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.2V @ 350µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
85 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
13000 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.8W (Ta), 104W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TDSON-8-1
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer
BSC019

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
BSC019N02KSGAUMA1
HTML-Datenblatt
BSC019N02KSGAUMA1-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
5,000
Andere Namen
BSC019N02KSGAUMA1TR
448-BSC019N02KSGAUMA1TR
BSC019N02KS G
BSC019N02KS G-DG
SP000307376
BSC019N02KSGAUMA1TR-DG

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
BSC014NE2LSIATMA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
18735
TEILNUMMER
BSC014NE2LSIATMA1-DG
Einheitspreis
0.57
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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