Hersteller Produktnummer:
BSC016N06NSATMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
BSC016N06NSATMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 30A/100A TDSON
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 30A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 139W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 FL
Inventar:
53786 Stück Neu Original Auf Lager
12799758
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
BSC016N06NSATMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
30A (Ta), 100A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.6mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.8V @ 95µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
71 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
5200 pF @ 30 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.5W (Ta), 139W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TDSON-8 FL
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer
BSC016
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
5,000
Andere Namen
BSC016N06NSDKR
BSC016N06NSTR
BSC016N06NSCT-DG
BSC016N06NSTR-DG
SP000924882
BSC016N06NSDKR-DG
BSC016N06NS
BSC016N06NSATMA1DKR
BSC016N06NS-DG
BSC016N06NSATMA1TR
BSC016N06NSATMA1CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
BSC022N04LS6ATMA1
MOSFET N-CH 40V 27A/100A TDSON
BTS244ZE3062AATMA2
MOSFET N-CH 55V 35A TO263-5
BSP135L6327HTSA1
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
