Hersteller Produktnummer:
BSC009NE2LSATMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
BSC009NE2LSATMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 25V 41A/100A TDSON
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 25 V 41A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Inventar:
48926 Stück Neu Original Auf Lager
12798810
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
BSC009NE2LSATMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
25 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
41A (Ta), 100A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
0.9mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
126 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
5800 pF @ 12 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.5W (Ta), 96W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TDSON-8-7
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer
BSC009
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
5,000
Andere Namen
BSC009NE2LSATMA1DKR
BSC009NE2LSCT-DG
BSC009NE2LS-DG
BSC009NE2LSATMA1TR
BSC009NE2LSATMA1CT
BSC009NE2LS
SP000893362
BSC009NE2LSCT
BSC009NE2LSDKR
BSC009NE2LSDKR-DG
BSC009NE2LSTR-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
AUIRFBA1405
MOSFET N-CH 55V 95A SUPER-220
BSZ025N04LSATMA1
MOSFET N-CH 40V 22A/40A TSDSON
BSS138W E6433
MOSFET N-CH 60V 280MA SOT323-3
