Hersteller Produktnummer:
BSB165N15NZ3GXUMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
BSB165N15NZ3GXUMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 150V 9A/45A 2WDSON
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 150 V 9A (Ta), 45A (Tc) 2.8W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™
Inventar:
12847112
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BSB165N15NZ3GXUMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
150 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
9A (Ta), 45A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
8V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
16.5mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 110µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2800 pF @ 75 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.8W (Ta), 78W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
MG-WDSON-2, CanPAK M™
Paket / Koffer
3-WDSON
Basis-Produktnummer
BSB165
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
5,000
Andere Namen
BSB165N15NZ3 GTR-DG
SP000617000
BSB165N15NZ3GXUMA1CT
BSB165N15NZ3 G
BSB165N15NZ3 G-DG
BSB165N15NZ3 GCT-DG
BSB165N15NZ3 GCT
BSB165N15NZ3GXUMA1TR
BSB165N15NZ3 GDKR
BSB165N15NZ3G
INFINFBSB165N15NZ3GXUMA1
BSB165N15NZ3 GDKR-DG
2156-BSB165N15NZ3GXUMA1
BSB165N15NZ3GXUMA1DKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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