Hersteller Produktnummer:
BFR193L3E6327XTMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
BFR193L3E6327XTMA1-DG
Beschreibung:
RF TRANS NPN 12V 8GHZ TSLP-3-1
Detaillierte Beschreibung:
RF Transistor NPN 12V 80mA 8GHz 580mW Surface Mount PG-TSLP-3-1
Inventar:
12798576
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BFR193L3E6327XTMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare RF-Transistoren
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
12V
Frequenz - Übergang
8GHz
Geräuschzahl (dB Typ @ f)
1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Gewinnen
12.5dB ~ 19dB
Leistung - Max
580mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
70 @ 30mA, 8V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
80mA
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SC-101, SOT-883
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TSLP-3-1
Basis-Produktnummer
BFR193
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
15,000
Andere Namen
BFR193L3E6327XTMA1DKR
BFR 193L3 E6327CT
BFR193L3E6327XTMA1CT
BFR 193L3 E6327-DG
BFR 193L3 E6327CT-DG
BFR 193L3 E6327TR-DG
BFR 193L3 E6327DKR
BFR 193L3 E6327
BFR193L3E6327XTMA1TR
2156-BFR193L3E6327XTMA1-448
BFR193L3E6327XT
SP000013557
BFR 193L3 E6327DKR-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
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