Hersteller Produktnummer:
BFP640ESDH6327XTSA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
BFP640ESDH6327XTSA1-DG
Beschreibung:
RF TRANS NPN 4.7V 46GHZ SOT343
Detaillierte Beschreibung:
RF Transistor NPN 4.7V 50mA 46GHz 200mW Surface Mount PG-SOT343-4-2
Inventar:
27075 Stück Neu Original Auf Lager
12845431
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BFP640ESDH6327XTSA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare RF-Transistoren
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
4.7V
Frequenz - Übergang
46GHz
Geräuschzahl (dB Typ @ f)
0.6dB ~ 2dB @ 150MHz ~ 10GHz
Gewinnen
7dB ~ 30dB
Leistung - Max
200mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
110 @ 30mA, 3V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
50mA
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SC-82A, SOT-343
Gerätepaket für Lieferanten
PG-SOT343-4-2
Basis-Produktnummer
BFP640
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
BFP 640ESD H6327
BFP640ESDH6327XTSA1TR
BFP 640ESD H6327DKR-DG
BFP640ESDH6327XTSA1CT
BFP640ESDH6327XTSA1DKR
SP000785482
BFP640ESDH6327
BFP 640ESD H6327CT
BFP 640ESD H6327CT-DG
BFP 640ESD H6327TR
BFP 640ESD H6327TR-DG
BFP 640ESD H6327DKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
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